美利体育登录入口官网

美利体育登录入口官网:阈值电压

阈值电压是MOSFET在导通状态时的临界电压,低于该电压时器件保持关闭状态,是半导体器件设计和性能评估的关键参数。


阈值电压有关的标准

标准号 & 类别标准名称发布
ASTM F1096-87
试验

测量金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)饱和阈值电压的标准测试方法

Standard Test Method for Measuring MOSFET Saturated Threshold Voltage

1987
美国材料与试验协会
ASTM F1796-19
规范

高压探测器标准规范&x2014;第1部分电压超过600伏AC时使用的电容型

Standard Specification for High Voltage Detectors—Part 1 Capacitive Type to be Used for Voltages Exceeding 600 Volts AC

2019-06-15
美国材料与试验协会
ASTM F617M-95
试验

MOSFET线性阈值电压的测定方法

Measuring MOSFET Linear Threshold Voltage [Metric]

1995
美国材料与试验协会
ASTM RR-F01-1004 1985
试验

F0617-测量 MOSFET 线性阈值电压的标准测试方法

F0617-Standard Test Method for Measuring MOSFET Linear Threshold Voltage

1985
美国材料与试验协会
BS IEC 62951-2:2019
试验标准

半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性器件电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压的评价方法

Semiconductor devices. Flexible and stretchable semiconductor devices - Evaluation method for electron mobility, sub-threshold swing, and threshold voltage of flexible devices

2019-04-30
英国标准学会
BS IEC 63505:2025
指南标准

SiC MOSFET 阈值电压 VT 测量指南

Guidelines for measuring the threshold voltage VT of SiC MOSFETs

2025-04-30
英国标准学会
GOST 20398.7-1974
试验

场效应晶体管.门限电压和截止电压测量方法

Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique


场效应晶体管 

1974
俄罗斯标准局
IEC 62373:2006
试验标准

金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)

2006-07
国际电工委员会
IEC 62417:2010
试验标准

半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)


金属氧化物半导体场效应晶体管 

2010-04
国际电工委员会
IEC 63505:2025
指南标准

碳化硅MOSFET阈值电压测量指南

Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs

2025-04-01
国际电工委员会
JEDEC JEP183-2021
指南标准

测量 SiC MOSFET 阈值电压 (VT) 的指南

Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs

2021-01-01
(美国)固态技术协会,隶属EIA
LST EN 62373:2006
试验

金属氧化物半导体场效应晶体管在反向偏置下的温度稳定性研究(IEC 62373:2006)

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006)


金属氧化物半导体场效应晶体管 

2006-11-29
NF C18-313/A1:1997
规范

NF EN 61243-1-1997的修改件1

Modification 1 of NF EN 61243-1-1997


绝缘杆 

1997-11-01
法国标准化协会
SJ 20613-1996
试验

交流薄膜电致发光矩阵显示器件测试方法

Methods of measurement for a.c.thin film electroluminescent matrix display devices


亮度均匀性 

1996-08-30
行业标准-电子
UNE-EN 62373:2006
试验

金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试

Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)


金属氧化物半导体场效应晶体管 

2006-11-01
西班牙标准化协会
UNE-EN 62417:2010
试验标准

半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试

Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (Endorsed by AENOR in September of 2010.)


金属氧化物半导体场效应晶体管 

2010-09-01
西班牙标准化协会

 




Copyright ?2007-2026 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号
页面更新时间: 2026-05-30 19:54

美利体育(meili)官方网站_美利体育手机版下载