阈值电压是MOSFET在导通状态时的临界电压,低于该电压时器件保持关闭状态,是半导体器件设计和性能评估的关键参数。
| 标准号 & 类别 | 标准名称 | 发布 |
|---|---|---|
| ASTM F1096-87 试验 |
测量金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)饱和阈值电压的标准测试方法 Standard Test Method for Measuring MOSFET Saturated Threshold Voltage
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1987 美国材料与试验协会 |
| ASTM F1796-19 规范 |
高压探测器标准规范&x2014;第1部分电压超过600伏AC时使用的电容型 Standard Specification for High Voltage Detectors—Part 1 Capacitive Type to be Used for Voltages Exceeding 600 Volts AC
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2019-06-15 美国材料与试验协会 |
| ASTM F617M-95 试验 |
Measuring MOSFET Linear Threshold Voltage [Metric]
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1995 美国材料与试验协会 |
| ASTM RR-F01-1004 1985 试验 |
F0617-Standard Test Method for Measuring MOSFET Linear Threshold Voltage
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1985 美国材料与试验协会 |
| BS IEC 62951-2:2019 试验标准 |
半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 柔性器件电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压的评价方法 Semiconductor devices. Flexible and stretchable semiconductor devices - Evaluation method for electron mobility, sub-threshold swing, and threshold voltage of flexible devices
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2019-04-30 英国标准学会 |
| BS IEC 63505:2025 指南标准 |
Guidelines for measuring the threshold voltage VT of SiC MOSFETs
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2025-04-30 英国标准学会 |
| GOST 20398.7-1974 试验 |
Field-effect transistors. Threshold and cut-off voltage measurement technique
场效应晶体管 |
1974 俄罗斯标准局 |
| IEC 62373:2006 试验标准 |
金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的基本温度稳定性试验 Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET)
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2006-07 国际电工委员会 |
| IEC 62417:2010 试验标准 |
半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验 Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
金属氧化物半导体场效应晶体管 |
2010-04 国际电工委员会 |
| IEC 63505:2025 指南标准 |
Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
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2025-04-01 国际电工委员会 |
| JEDEC JEP183-2021 指南标准 |
Guidelines for measuring the threshold voltage (VT) of SiC MOSFETs
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2021-01-01 (美国)固态技术协会,隶属EIA |
| LST EN 62373:2006 试验 |
金属氧化物半导体场效应晶体管在反向偏置下的温度稳定性研究(IEC 62373:2006) Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006)
金属氧化物半导体场效应晶体管 |
2006-11-29 |
| NF C18-313/A1:1997 规范 |
Modification 1 of NF EN 61243-1-1997
绝缘杆 |
1997-11-01 法国标准化协会 |
| SJ 20613-1996 试验 |
Methods of measurement for a.c.thin film electroluminescent matrix display devices
亮度均匀性 |
1996-08-30 行业标准-电子 |
| UNE-EN 62373:2006 试验 |
金属氧化物、半导体、场效应晶体管(MOSFET)的偏置温度稳定性测试 Bias-temperature stability test for metal-oxide, semiconductor, field-effect transistors (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Endorsed by AENOR in November of 2006.)
金属氧化物半导体场效应晶体管 |
2006-11-01 西班牙标准化协会 |
| UNE-EN 62417:2010 试验标准 |
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的移动离子测试 Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) (Endorsed by AENOR in September of 2010.)
金属氧化物半导体场效应晶体管 |
2010-09-01 西班牙标准化协会 |
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