| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 导通损耗 Conduction losses | 当 IGBT 或二极管处于导通状态时,由于存在小的导通电压(V_CE(sat) 或 V_F)乘以流过的电流而产生的功率损耗。 |
| 开关损耗 Switching losses | IGBT 在开通或关断过程中,或二极管在关断过程中,由于同时承受高电压和高电流而产生的能量损耗,其值为开关能量乘以开关频率。 |
| 无载运行状态 No-load operating state | VSC 变电站已通电,但 IGBT 处于封锁状态,所有变电站服务负载和辅助美利体育官网首页网址均连接的运行状态。 |
| 待机运行状态 Idling operating state | VSC 变电站已通电,IGBT 处于解封锁状态,但在交流网络的公共连接点没有有功或无功功率输出的运行状态。 |
| 运行状态 Operating state | VSC 变电站已通电,且换流器处于解封锁状态的运行状态,与线路换流器不同,VSC 可以在零有功/无功功率输出下运行。 |
| IGBT 集电极 - 发射极饱和电压 IGBT collector-emitter saturation voltage | 在栅 - 极电压使集电极电流基本上独立于栅 - 极电压的条件下,集电极与发射极之间的电压(V_CE(sat))。 |
| IGBT 开通能量 IGBT turn-on energy | 单个集电极电流脉冲开通期间,在 IGBT 内部耗散的能量(E_on)。 |
| 二极管反向恢复能量 Diode reverse recovery energy | 在二极管关断过程中,二极管内部耗散的能量(E_rec),源于反向恢复电荷 Q_rr 的流过。 |
| 冗余电平 Redundant levels | 阀中可被外部或内部短路的串联连接 VSC 阀电平或二极管阀电平的最大数量,这种短路不会损害阀的安全运行,若超出此数量则需停机更换或接受故障风险增加。 |
| 子模块 Submodule | 模块化多电平换流器(MMC)的构建块,其中每个开关位置仅由一个 IGBT-二极管对单元组成。 |
| IGBT 器件 绝缘栅双极型晶体管 | 换流阀中的核心开关器件,具有三个端子(栅极 G、发射极 E、集电极 C),在导通和关断过程中产生导通损耗和开关损耗。 |
| 换流阀 电压源换流器(VSC)阀 | 高压直流系统中的核心换流美利体育官网首页网址,包含 IGBT、二极管及相关电路,用于实现交流电与直流电之间的变换,本文件主要针对此类阀门的功率损耗计算。 |
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