本文件规定了将中子源注量表征为等效单能中子注量的程序。该实践适用于中子效应测试、测试规范的制定以及中子测试环境的表征。适用的中子源能量范围广泛，包括能量高达20 MeV的单能中子源。
本文件不适用于位移损伤主要由能量低于10 keV的中子引起的情况。等效性基于中子源谱入射材料特定物理性质的规定效应。实现此等效性需掌握中子能量对特定材料性质的影响关系。若中子能量效应存在剧烈变化，可能会限制本实践在单能中子源情况下的适用性。
本文件旨在通用化地适用于多种材料和源。通过评估半导体材料的位移损伤来确定等效单能中子注量，该量理想上应与器件或系统的特定功能性能参数退化相关联。然而，由于电离效应、退火及其他因素的共同作用，这种关联尚未在所有器件类型中确立，应用时需审慎处理。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 位移损伤函数 displacement damage function | 一个与能量相关的参数，表示单位中子注量对目标原子的可观察位移损伤的比例。 |
| 微观位移kerma因子 microscopic displacement kerma factor | 能量相关的参数，表示单位中子注量对目标原子的位移kerma。 |
| 注量谱硬度参数 fluence spectrum hardness parameter | 等效单能中子注量与总注量的比率，用于表征中子注量谱的形状。 |
| 等效单能中子注量 equivalent monoenergetic neutron fluence | 用单能中子注量来表示多能中子谱对材料产生的相同位移损伤。 |
| kerma因子 kerma factor | 单位注量的粒子能量在指定材料中产生的kerma。 |
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