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美利体育登录入口官网:DIN EN 60749-27:2013
半导体器件.机械和气候试验方法.第27部分:静电放电(ESD)敏感度检验.机器模型(MM).(IEC 60749-27-2006 + A1-2012).德文版本EN 60749-27-2006 + A1-2012

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 27: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Machine model (MM) (IEC 60749-27:2006 + A1:2012); German version EN 60749-27:2006 + A1:2012


标准号
DIN EN 60749-27:2013
发布
2013年
国际标准分类(ICS)
31.080.01 半导体器分立件综合   
总页数
15页
发布单位
德国标准化学会
替代标准
DIN EN 60749-27:2013-04
当前最新
DIN EN 60749-27:2013-04
 
 
引用标准
IEC 60749-26 IEC 61340-3-2
被代替标准
DIN EN 60749-27:2007 DIN EN 60749-27/A1:2011
 
 
本体
待测器件 机器模型
适用范围
本文档规定了一种标准程序,用于测试和分类半导体器件在受到静电放电(ESD)后根据规定的机器模型(MM)可能受到的损坏或退化(性能下降)的敏感性。该程序可替代人体模型(HBM)的ESD测试程序使用。目的是获得可靠且可重复的ESD测试结果,以便进行正确的分类。该测试程序适用于所有半导体器件,并被归类为破坏性测试。半导体器件的ESD测试应力应根据本测试程序、人体模型(HBM;见IEC 60749-26)或IEC 60749系列中规定的其他ESD测试程序选择。MM测试程序和HBM测试程序均能产生相似但不完全相同的测试结果。除非另有规定,否则应使用HBM测试程序。 注1:在本测试程序中,由于测试电路中使用了高寄生电感,因此无法精确模拟来自真实机器或金属工具的放电,而真实机器和金属工具中没有电感,且放电曲线的上升时间约为100皮秒。 注2:本测试程序的部分内容符合IEC 61340-3-2的要求。
术语描述
待测器件
Device Under Test (DUT)
根据机器模型静电放电(MM-ESD)测试程序进行测试的半导体器件。
故障测试件
Faulty/Failed Device Under Test
由于静电放电(ESD)应力作用,测试件的一个或多个规定限值被超过的状态。
ESD耐压值
ESD Voltage Strength
在不引起任何规定测试限值超标的情况下,所施加的最高静电放电(ESD)电压值,前提是所有被测器件均通过了较小电压值的应力测试。
振铃
Ringback/Ringing
由放电回路中大电感引起的噪声分量。

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电流测量转换器

带宽至少350 MHz
用于测量通过短路桥或校准电阻的电流,是验证装置的一部分。
脉冲存储示波器

单脉冲带宽至少350 MHz
用于验证MM电流脉冲波形的美利体育官网首页网址,是验证装置的一部分。

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