美利体育登录入口官网:GJB 7400-2011
合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范
General specification for semiconductor integrated circuits of qualitied manufacturer certification
- 标准号
- GJB 7400-2011
- 发布
- 2011年
- 总页数
- 94页
- 发布单位
- 国家军用标准-总装备部
- 当前最新
- GJB 7400-2011
- 引用标准
- GB/T 4937 GB/T 5169.5-2008 GB/T 7092 GB/T 9178 GJB 150.10A-2009 GJB 3014 GJB 360 GJB 4027A-2006 GJB 548 GJB 597 GJB 7242-2011 SJ 20954 SJ/T 10745-1996
- 适用范围
- 本规范规定了半导体集成电路（在不产生混淆时，以下简称器件）的通用要求，包括器件应满足的质量和可靠性保证要求，承制方列入合格制造厂目录（QML）应满足的要求。本规范规定了V级、Q级、T级、N级（塑封器件）四个产品质量保证等级。 本规范是以过程基线的认证为依据，从设计、晶圆制备、封装等各个工艺过程提出具体要求，强调工艺在线监控、统计过程控制（SPC）等，以保证器件的质量和可靠性。 本规范适用于半导体集成电路，包括单片集成电路和多片集成电路。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 集成电路（微电路） Integrated Circuit (Microcircuit) | 具有高等效电路元件密度的一种小型化电路，它可视作为由一个或多个基片上的互连元件组成且能执行某种电子线路功能的独立器件。 |
| 多芯片微电路 Multichip Microcircuit | 一种由两个或多个独立半导体芯片上或芯片中的单元组成的集成电路或微电路，并且粘附在一个陶瓷基片或外壳内。 |
| 单片微电路 Monolithic Microcircuit | 一种仅由在单片半导体衬底表面或其内部形成的各种单元构成的集成电路或微电路，并且这种芯片封装在玻璃、金属或陶瓷（或它们的组合）封装内。 |
| A 极限 Delta Limit | 指器件在进行规定的试验后能被接收时某一特定参数（读数）允许的最大变化量。这个变化量应根据现行的测量与规定的某一先前测量值进行比较的办法来获得。 |
| 返工 Rework | 除试验中规定的加工操作外，按承制方 QM 计划的规定，对单个器件或其部分进行的任何加工或重新加工操作。这些返工是在规定的对该类所有器件都适用的非维修性生产操作完成后进行的操作。 |
| 最后密封 Final Seal | 完成器件组装的一种加工工序，密封之后，如果不将器件开封，就不可能对器件作进一步加工。 |
| 静电放电敏感度 Electrostatic Discharge Sensitivity (ESD) | 是器件受静电损伤的敏感程度，器件的敏感程度由 ESD 分级试验确定，并作为 ESD 等级划分的依据。 |
| 技术流程 Technology Flow | 技术流程是承制方给定的生产线，包括设计、制作、组装和美利体育登录入口官网。承制方按这个给定的技术流程进行设计、制造和美利体育登录入口官网集成电路。当承制方的技术流程经鉴定机构认证和鉴定后，这条线就列入 QML 中。 |
| 形态 Form | 具有独立特征的某个产品的形状、大小、尺寸、质量、重量和其他目检参数。对于软件，形态表示其语言和载体。 |
| 配合 Fit | 一个产品与其他产品物理接口、或互连、或成为另一产品一部分的能力。 |
| 功能 Function | 通过设计，使产品执行动作。 |
| N 级 Class N | 符合并通过本规范所有适用的要求，包括鉴定检验、筛选试验、QCI/QC 检验，并且为塑料封装。该产品由用户评估决定是否适合用户的应用。 |
| Q 级 Class Q | 符合并通过本规范及相关附录所有适用要求，及规定的鉴定检验、筛选试验和 QCI/QC 检验要求的产品。 |
| T 级 Class T | T 级器件应是经认证鉴定的 QML 生产线上生产的，其生产流程应通过承制方的 TRB 开发、批准，并通过鉴定；应在承制方的 QM 计划中确定，并得到鉴定机构的批准。T 级器件的每个技术流程（如晶圆制备、组装、筛选、鉴定、QCI 等）应按用户的应用要求并形成文件。 |
| V 级 Class V | 达到 Q 级器件要求，并执行通过了附录 F 的要求的产品。 |
| B 级水平 Class Level B | B 级水平的要求包括本规范规定的 Q 级和 GJB 597 中 B 级要求，是标准军用质量等级。产品预定用于高可靠性军事应用。 |
| S 级水平 Class Level S | S 级水平的要求包括本规范规定的 V 级产品，预定用于空间应用。 |
| 等级水平与质量等级 Eths Level vs Class | 本规范定义产品两种等级水平：S 级水平和 B 级水平。每个等级水平可以是多质量等级的产品。S 级水平包括 S 级和 V 级产品要求。B 级水平包括 B 级和 Q 级产品要求。 |
| 第二方承制方 The Second Party Manufacturer | 第二方承制方是认证合格的 QML 承制方，作为 QML 器件承制方的分包商（例如 QML 公司 X 使用 QML 公司 Y 的生产线生产芯片）。 |
| 第三方承制方 The Third Party Manufacturer | 第三方承制方未经 QML 认证。第三方承制方的工艺或线，通过了 QML 承制方的确认（例如 QML 公司 X 使用非 QML 公司 Z 的生产线生产芯片，仅对该非 QML 公司的生产线或工艺进行评估，而不对整个美利体育官网首页网址进行认证）。 |
| 第三方设计中心 The Third Design Center | 指一个分包商的设计中心或 OEM 设计中心。该中心使用 QML 器件承制方的设计工具（包括已批准/第三方工具）、接口程序、设计规则和设计控制。 |
| 生产批 Production Lot | 一个生产批是由同一生产线上采用相同的生产技术、材料、控制和设计制造出来的器件所组成的。 |
| 技术审查机构 Technology Review Board (TRB) | 承制方的评审组织，负责质量保证大纲的建立、所有认证和鉴定工作的维持、更改控制、可靠性数据统计分析、失效分析、纠正措施、QML 器件召回程序的制定以及工艺的鉴定状态。 |
| 超高速集成电路 Very High Speed Integrated Circuit (VHSIC) | 一种高速集成电路技术。 |
| 辐射加固保证能力水平 Radiation Hardness Assurance Capability Level (RHACL) | 承制方按照其工艺选择的辐射环境，保证器件暴露在此辐射等级下不会退化。 |
| 标准评价电路 Standard Evaluation Circuit (SEC) | 专门设计的质量与可靠性的监控样品，也可以是系统中使用的实际产品。用于证明技术制造工艺可靠性。 |
| 单粒子效应 Single Event Effects (SEE) | 由高能粒子引起的电路功能异常，包括翻转、锁定、烧毁等。 |
| 单粒子事件 Single Event Phenomenon (SEP) | 单粒子效应的一种表现形式。 |
| 统计过程控制 Statistical Process Control (SPC) | 利用统计方法对生产过程中的质量进行监控和控制的方法。 |
| 载带自动焊 Tape Automated Bonded (TAB) | 一种集成电路封装技术，使用载带进行自动焊接。 |
| 可靠性表征结构 Technology Characterization Vehicle (TCV) | 用于表征工艺固有可靠性的测试结构。 |
| 时间相关（电）介质击穿 Time Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) | 一种失效机理，指电介质在电场作用下随时间发生击穿。 |
| 专用集成电路 Application Specific Integrated Circuit (ASIC) | 为特定用户需要和特定电子系统需要而设计、制造、使用的集成电路。 |
| 击穿电压 Breakdown Voltage (BV) | 器件发生击穿时的电压值。 |
| 互补金属氧化物半导体 Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) | 一种集成电路制造工艺。 |
| C 模式超声扫描 C-mode Scanning Acoustical Microscopy (CSAM) | 一种用于美利体育登录入口官网封装内部缺陷的无损美利体育登录入口官网技术。 |
| 可测性设计 Design For Test (DFT) | 在设计阶段考虑测试需求的设计方法。 |
| 设计规则检查 Design Rules Check (DRC) | 检查设计是否符合几何和物理设计规则的过程。 |
| 二极管 - 晶体管逻辑 Diode Transistor Logic (DTL) | 一种早期的集成电路逻辑家族。 |
| 射级耦合逻辑 Emitter Coupled Logic (ECL) | 一种高速集成电路逻辑家族。 |
| 电可擦可编程只读存储器 Electrically Erasable Programmable Read Only Memory (EEPROM) | 一种非易失性存储器。 |
| 电气规则检查 Electrical Rules Check (ERC) | 检查设计是否符合电气规则（如短路、开路）的过程。 |
| 失效分析 Failure Analysis (FA) | 对失效器件进行分析以确定失效原因和机理的过程。 |
| 场效应晶体管 Field Effect Transistor (FET) | 一种利用电场控制电流的半导体器件。 |
美利体育登录入口官网: GJB 7400-2011 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| X 射线检查美利体育官网首页网址 X-Ray | 用于检查芯片内部结构、键合情况、分层和裂纹等。 |
| 扫描电子显微镜 SEM | 用于检查氧化层台阶金属化、接触窗口和金属化的总体情况，进行工艺控制。 |
| 粒子碰撞噪声美利体育登录入口官网仪 PIND | 用于美利体育登录入口官网密封器件中的颗粒污染。 |
| 超声扫描显微镜 CSAM | 用于美利体育登录入口官网封装内部缺陷，如分层、空洞等。 |