| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 活化 activation | 通过使物质受到中子或其他粒子的轰击,使其成为人工放射性的过程。 |
| 衰减系数 attenuation coefficient | 与射线束穿过物质时强度变化率相关的术语(参见线性和质量吸收系数)。 |
| 衰减截面 attenuation cross section | 以靶恩(barns)表示的中子被原子核完全吸收的概率。 |
| 靶恩 barn | 表示核截面的面积单位(1 靶恩 = 10^-24 cm^2)。 |
| 镉比 cadmium ratio | 两个相同中子探测器(通常是活化型,如铟或金)的响应之比,一个裸露暴露于束流,另一个覆盖镉(覆盖镉的探测器主要记录能量高于 0.5 eV 的中子,该比率是中子束热化程度的度量)。 |
| 暗盒 cassette | 在曝光期间用于固定胶片或转换屏并使胶片紧密接触的密闭装置。 |
| 对比剂 contrast agent | 添加到组件中以通过选择性吸收入射辐射来增强细节的材料。 |
| 转换屏 conversion screen | 将成像的中子束转换为辐射或光线以曝光射线胶片的装置。 |
| 截面 cross section | 基于粒子碰撞发生反应的概率计算出的原子核的表观横截面积。它不一定与几何横截面积 πr^2 重合。它以面积单位给出。 |
| 直接曝光成像 direct exposure imaging | 在直接曝光成像方法中,转换屏和图像记录器同时暴露于中子束中。 |
| 电子伏特 electron volt | 电子通过 1 伏特电势差后获得的动能。 |
| 伽马射线 gamma ray | 起源于原子核的电磁辐射。 |
| 半衰期 half-life | 给定数量的放射性原子衰变一半所需的时间。 |
| 半值层 half-value layer | 吸收材料所需的厚度,可将入射辐射束的强度降低到其原始强度的一半。 |
| 间接曝光 indirect exposure | 仅将伽马射线不敏感的转换屏暴露于中子束的方法。曝光后,将转换屏放置在图像记录器上。 |
| 同位素 isotope | 同一元素的一组核素,具有相同数量的质子(Z),但中子数量不同,导致原子量(A)值不同。 |
| L/D 比 L/D ratio | 从入口孔径到成像平面的距离(L)与入口孔径直径(D)之比。它是中子射线照相系统分辨率能力的一种度量。 |
| 线性衰减系数 linear attenuation coefficient | 辐射束强度在材料中每单位距离行进后的分数减少量(cm^-1)。 |
| 质量衰减系数 mass attenuation coefficient | 辐射束强度每单位表面密度后的分数减少量(cm^2·g^-1)。 |
| 慢化剂 moderator | 用于减慢快中子的材料。中子在与氢、氘、铍和碳等轻元素原子碰撞时减速。 |
| 中子 neutron | 质量接近 1 的中性基本粒子。在原子核外的自由状态下,中子是不稳定的,半衰期约为 10 分钟。 |
| 中子射线照相 neutron radiography | 通过物体对中子束的选择性衰减来制作物体内部细节的持久图像的过程。 |
| 热中子 thermal neutron | 快中子减速直到与环境达到热平衡的中子。 |
| 总截面 total cross section | 吸收截面和散射截面之和。 |
| 真空暗盒 vacuum cassette | 具有柔性入口窗的密闭装置,在真空操作下,在曝光期间将胶片和转换屏保持在紧密接触状态。 |
| 中子源 放射性同位素、密封管/加速器、核反应堆 | 产生高能中子的装置,需经慢化剂慢化至热中子能量,用于中子射线照相。 |
| 准直器 发散型准直器、针孔准直器 | 将热中子准直成束的装置,用于提高射线照相的分辨率,通常由硼或镉等高吸收截面材料制成。 |
| 转换屏 钆金属屏、钆氧硫化物荧光屏、锂氟化锌硫化物屏 | 捕获中子并发射电离辐射或光线以曝光胶片的装置,需与胶片紧密接触。 |
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