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美利体育登录入口官网:GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法

Semiconductor discrete device test methods


GJB 128B-2021封面

标准号
GJB 128B-2021
发布
2021年
总页数
401页
发布单位
国家军用标准-总装备部
当前最新
GJB 128B-2021
 
 
引用标准
GB/T 3131-2001 GJB 1209 GJB 2712 GJB 3007 GJB 360B-2009 GJB 762.1-1989 GJB 762.3-1989 GJB/Z 105
 
 
本体
半导体分立器件
适用范围
本标准规定了半导体分立器件 (以下简称器件) 的通用试验方法, 包括为确定器件耐受自然环境和军用工作环境的有害影响而进行的基本环境试验,力学 (物理) 试验和电学试验。 本标准适用于军用半导体分立器件, 包括晶体管、二极管等产品和其他相关元器件, 其他元器件也可参照使用。
术语描述
电离辐照效应
Ionizing Radiation Effect
由于辐照诱生电荷引起的器件电参数变化, 也称之为总剂量效应
移位测试
Shift Test
将器件从辐照位置移开后对器件进行的电测试
时变效应
Time-Dependent Effect
辐照后, 由于辐照诱生陷阱电荷和界面陷阱的生长和或退火引起的电参数的明显变化。辐照期间也会发生类似的效应
加速退火试验
Accelerated Annealing Test
采用高温加速时变效应的程序
静电放电
Electrostatic Discharge (ESD)
处于不同静电电位的两个物体之间静电电荷的转移

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用于金属化扫描电子显微镜检查
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