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氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体,第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比,GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性,在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示,GaN器件适用于68%的功率器件市。辉诠β首坏缏分杏τ肎aN器件可消除整流器在进行交直流转换时90...
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