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硅单晶棒及单晶硅片单位产品能源消耗限额

Energy Consumption Quotas per Unit Product for Silicon Single Crystal Ingots and Single Crystal Silicon Wafers


标准号
DB31/T 792-2026
发布
2026年
国际标准分类(ICS)
27.010 能源和热传导工程综合   
总页数
10页
发布单位
上海市标准
当前最新
DB31/T 792-2026
 
 
引用标准
GB 17167 GB/T 12723 GB/T 14264 GB/T 2589
被代替标准
DB31/T 792-2020
适用范围
本文件规定了硅单晶棒及单晶硅片单位产品能源消耗限额的技术要求、统计范围、计算方法及节能降耗导向。本文件适用于半导体级硅单晶棒和单晶硅片(包括单晶硅抛光片、单晶硅外延片,以下统称“单晶硅片”)生产企业单位产品能源消耗的计算、考核以及对新建项目单位产品能源消耗的控制。
术语描述
硅单晶棒
monocrystalline silicon ingot
高纯度的多晶硅在单晶炉内用直拉法拉制的圆柱形硅单晶铸锭。
单晶硅抛光片
monocrystalline silicon polished wafer
硅单晶棒经切磨及抛光加工成的表面高平坦度的硅片。
单晶硅外延片
monocrystalline silicon epitaxial wafer
在单晶硅抛光片上生长一层或多层单晶硅薄膜(外延层)后制成的硅片。
产能利用率
capacity utilization rate
生产线统计期内的实际产出与设计生产能力之比。

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单晶炉

未指定
用于直拉法拉制硅单晶棒的生产美利体育官网首页网址。
外延炉

未指定
用于在单晶硅抛光片上生长单晶硅薄膜的美利体育官网首页网址。

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