T/CSTM 00032-2020由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2020-08-03,并于 2020-08-04 实施。
T/CSTM 00032-2020在国际标准分类中归属于: 27.120.01 核能综合。
T/CSTM 00032-2020 铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列的最新版本是哪一版?
最新版本是 T/CSTM 00032-2020 。
* 在 T/CSTM 00032-2020 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
本标准规定了铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列的术语和定义、产品标记、技术要求、美利体育登录入口官网方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存等。 本标准适用于 X 射线、γ 射线及带电粒子探测用铈掺杂硅酸钇镥闪烁晶体阵列。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 像素 pixel | 组成晶体阵列的最小晶体元件。 |
| 闪烁晶体阵列 array of scintillation crystals | 多个表面镀或覆盖有高反射率反射层的闪烁晶体元件(通常元件的尺寸相同),按预定设计排列并通过光学胶、机械夹持等方式连接而成的组合。 |
| 断丝率 breakpoint rate | 闪烁晶体阵列中,断裂的晶体元件数与总元件数的比值,通常用符号B表示,并按公式(1)进行计算。 |
| 串光 optical crosstalk | 在射线照射过程中,闪烁晶体阵列中不同像素之间发生射线与光的泄露与串扰,造成分辨率下降及其他不良影响的现象。 |
| 光产额 light yield | 闪烁体吸收单位入射辐射能量所产生的光子数。 |

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| 多道能谱仪 未明确 | 通常应配敏感区间与铈掺杂硅酸钇发光峰值波长相匹配的光电倍增管、SiPM等。 |
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