IEC 62132-8:2026由国际电工委员会 IX-IEC 发布于 2026-02-12。
IEC 62132-8:2026在国际标准分类中归属于: 31.200 集成电路、微电子学。
IEC 62132-8:2026 集成电路 电磁抗扰度测量 第8部分:辐射抗扰度测量 集成电路带状线方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 IEC 62132-8:2026 。
IEC 62132-8 规定了使用 IC 带状线测量集成电路(IC)对射频(RF)辐射电磁干扰免疫性的方法。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 横电磁模式 Transverse electromagnetic mode (TEM) | 传播方向上的电场和磁场分量远小于任何横截面上的主要场分量的波导模式。 |
| TEM 波导 TEM waveguide | 开放式或闭合式传输线系统,其中波以横电磁模式传播,以产生用于测试的特定场。 |
| IC 带状线 IC stripline | 一种由有源导体放置在规定的间距上,位于扩大的地平面之上,两端连接端口结构,并带有可选屏蔽外壳的 TEM 波导。 |
| 特征阻抗 Characteristic impedance | 对于任何恒定相位波前,有源导体与对应地平面之间的电压与任一导体上的电流之比的幅值。 |
| 主要场分量 Primary field component | 与预期测试极化方向对齐的电场分量。 |

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| 50 Ω 终端 VSWR 在 f≤3 GHz 时≤1.1,在 f>3 GHz 时≤1.2 | 用于终止 IC 带状线未连接射频干扰发生器的 50 Ω 端口,以确保阻抗匹配。 |
| IC 带状线 开路或闭路版本,配有与 EMC 测试板配合的孔径 | 测试装置的核心部件,用于在有源导体和地平面之间产生特定的电磁场以评估 IC 的抗扰度。 |
| 射频干扰发生器 具有足够功率处理能力,可包含射频信号发生器(带调制功能)、射频功率放大器和可选衰减器 | 用于产生并注入射频干扰信号以暴露被测器件的电磁场。 |
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