| 术语 | 描述 |
|---|---|
| I-V特性表征 I-V characterization | 电流-电压特性的测量。 |
| 四探针测量 4-probe measurement | 一种测量具有较大样品尺寸材料电阻的方法,测量值独立于探针电阻。与四探针法不同,通过改变内探针间距可在不损坏被测碳纳米管的情况下改变待测器件长度。 |
| 纳米尺度接触电阻 nanoscale contact resistance | 与纳米尺度接触相关的电阻。 |
| 扫描电子显微镜 scanning electron microscope (SEM) | 介于透射电子显微镜和光学显微镜之间的微观形态观察仪器,利用高能电子聚焦束产生各种物理信息信号。 |
| 碳纳米管 carbon nanotube (CNT) | 由碳组成的纳米管。 |
| 单壁碳纳米管 single-wall carbon nanotube (SWCNT) | 由单层圆柱形石墨烯层组成的碳纳米管。 |
| 多壁碳纳米管 multiwall carbon nanotube (MWCNT) | 由嵌套的、同心的或近同心的石墨烯片组成的碳纳米管,层间距类似于石墨。 |
| 待测器件 device under test (DUT) | 连接到美利体育官网首页网址以评估特定物理属性(如电阻或I-V特性)的样品。 |
| 扫描电子显微镜 配备纳米探针系统的SEM | 用于在真空环境下进行碳纳米管电阻测量、探针放置及观察的美利体育官网首页网址。 |
| 源测量单元 SMU | 用于施加电压并测量电流的美利体育官网首页网址,常用于四探针测量系统。 |
| 电离规 无特定型号 | 用于测量真空环境下的真空度,要求真空度低于10^-5 Pa。 |
Copyright ?2007-2026 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号
页面更新时间: 2026-09-15 08:47