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半导体分立器件2CW1001～2CW1005型硅电压调整二极管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for type 2CW1001～2CW1005 silicon voltage-regulator diode
- 标准号
- SJ 50033/25-1994
- 发布
- 1994年
- 国际标准分类(ICS)
- 29.200 整流器、转换器、稳压电源
- 总页数
- 11页
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 50033/25-1994
- 本体
- 质量保证等级
- 适用范围
- 本规范规定了 2CW1001~2CW1005 型硅电压调整二极管（以下简称器件）的详细要求。本规范适用于器件的研制、生产和采购。本规范根据器件质量保证等级进行分类，按 GJB 33《半导体分立器件总规范》第 3 条的规定，提供质量保证等级为普军、特军和超特军三级，分别用字母 GP、GT 和 GCT 表示。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 普军 GP | 质量保证等级之一，代表普通军用等级。 |
| 特军 GT | 质量保证等级之一，代表特种军用等级。 |
| 超特军 GCT | 质量保证等级之一，代表超特种军用等级。 |
| 反向击穿区 Reverse Breakdown Region | 二极管伏安特性中反向电压达到击穿电压的区域，需通过示波器观察，确保曲线轨迹无折线、双曲线等异常。 |
| 电压调整值 Voltage Regulation | 在规定电流变化下，二极管两端电压的变化量，用于衡量稳压性能，要求变化值不超过 0.4V。 |
| 电压温度系数 Voltage Temperature Coefficient | 环境温度变化时，二极管稳定电压的变化率，单位为%/℃，用于评估温度稳定性。 |
| 浪涌电流 Surge Current | 二极管在反向施加的峰值电流，试验条件为 970mA 峰值电流，脉冲宽度 10ms，用于测试器件抗浪涌能力。 |
| 筛选 Screening | 对 GT 和 GCT 级器件进行的筛选过程，包括热冲击、密封、高温反偏等测试，剔除不符合极限值的器件。 |
| 鉴定检验 Qualification Inspection | 按 GJB 33 规定进行的检验，用于确认器件是否符合规范要求的全面测试。 |
| A 组检验 Group A Inspection | 外观及机械检验、反向电流、微分电阻等基础检验项目。 |
| B 组检验 Group B Inspection | 包括分组筛选、热冲击、稳态工作寿命等可靠性检验项目。 |
| C 组检验 Group C Inspection | 包括外形尺寸、热冲击（玻璃应力）、拉力、弯曲试验、盐雾腐蚀等环境适应性检验项目。 |
美利体育登录入口官网: SJ 50033/25-1994 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 示波器 未提及 | 用于观察二极管伏安特性的反向击穿区，要求显示幅值在水平和垂直方向上至少有 5cm。 |
| 恒温美利体育官网首页网址 未提及 | 用于电压温度系数测试，需在 25℃和 T 参考 +50℃环境下恒温不少于 30min。 |
