美利体育登录入口官网:GB/T 10067.417-2023
电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置
Basic specifications for electroheating and electromagnetic processing installations—Part 417:Silicon carbide crystal growth installations
GBT10067.417-2023, GB10067.417-2023
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- 标准号
- GB/T 10067.417-2023
- 别名
- GBT10067.417-2023, GB10067.417-2023
- 发布
- 2023年
- 国际标准分类(ICS)
- 25.180.10 电炉
- 总页数
- 16页
- 发布单位
- 国家市场监督管理总局
- 当前最新
- GB/T 10067.417-2023
- 引用标准
- GB 12348 GB 150 GB 16297-1996 GB 3095 GB 8978 GB/T 10066.1 GB/T 10066.4 GB/T 10067.1 GB/T 10067.4 GB/T 2900.23 GB/T 5959.1
- 适用范围
- 本文件规定了碳化硅单晶生长装置的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存以及订购与供货。 本文件适用于在真空或保护气氛下,采用间接电阻加热生长碳化硅单晶的电热装置。采用高频感应加热的生长碳化硅单晶的装置参照使用。 本文件适用于物理气相输运法碳化硅单晶生长装置,其他方法的碳化硅单晶生长装置参照使用。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 碳化硅单晶生长装置 silicon carbide crystal growth installations | 在高真空状态下或低正压保护气氛下，采用间接电阻加热或高频感应加热，通过物理气相输运法生长碳化硅单晶的工业电热美利体育官网首页网址。 |
| 物理气相输运法 physical gas transport method | 固相原材料在高温条件下升华再结晶生长晶体的方法。 |
| 外热式 external heated type | 加热器在真空(或气氛)工作腔体外部，隔着工作腔体壁对坩埚进行加热生长晶体的碳化硅单晶生长装置。 |
| 内热式 internal heated type | 加热器在真空(或气氛)工作腔体内部，对坩埚直接加热生长晶体的碳化硅单晶生长装置。 |
| 籽晶 seed crystal | 用于生长单晶的，具有和所需晶体相同晶向的小晶体。 |
| 加热系统 heating system | 由炉壳、坩埚轴、坩埚组件、发热器、保温部件等组成的装置重要部件,用以加热固态原料并形成满足晶体生长所需温度和温度梯度要求的温度场。 |
美利体育登录入口官网: GB/T 10067.417-2023 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 气体流量控制单元 | 用于控制碳化硅单晶生长装置内部的气体流动和压力。 |
| 真空泵组 | 由机械泵、扩散泵或分子泵等组成的系统，用于抽取炉内的空气以达到所需真空度。 |
| 碳化硅单晶生长装置 | 用于在真空或保护气氛下，采用间接电阻加热或高频感应加热，通过物理气相输运法生长碳化硅单晶的工业电热美利体育官网首页网址。 |
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