美利体育登录入口官网:JB/T 2423-1999
电力半导体器件.型号编制方法
Type designation for power semiconductor devices
JBT2423-1999, JB2423-1999
2026-09-01
- 标准号
- JB/T 2423-1999
- 别名
- JBT2423-1999, JB2423-1999
- 发布
- 1999年
- 总页数
- 17页
- 发布单位
- 行业标准-机械
- 替代标准
- JB/T 2423-2026
- 当前最新
- JB/T 2423-2026
- 引用标准
- GB/T 8446.1-1987 GB/T 8446.3-1988 JB/T 10097-1999 JB/T 5835-1991 JB/T 5842-1991 JB/T 5843-1991 JB/T 7623-1994 JB/T 8661-1997 JB/T 8736-1998 JB/T 8757-1998
- 被代替标准
- JB/T 2423-1991
- 本体
- 型号编制方法 晶闸管 电力半导体器件
- 适用范围
- 本标准规定了电力半导体器件型号的组成、各部分意义和表示方法。 本标准适用于高压整流堆，电流等于大于5A的整流器、晶闸管、晶体管及其模块、组件，作为产品的有关附件、部件。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 分立器件 Discrete Device | 由单个半导体管芯封装而成的器件，如整流管、晶闸管、晶体管等。 |
| 模块 Module | 各分立器件管芯相连接，并封装为不可拆卸的一整体的组合式器件。 |
| 组件 Component | 各分立器件端子相连接，并用紧固件组装而成的组合式器件。组件一般可拆卸，拆卸后各分立器件应具有组装前的规定性能。 |
| 主电流 Main Current | 器件型号第二部分表示的额定电流值，如整流管为正向平均电流，晶闸管为通态平均电流等。 |
| 主电压 Main Voltage | 器件型号第二部分表示的额定电压级数，如整流管为反向重复峰值电压，晶闸管为反向重复峰值电压和断态重复峰值电压等。 |
| 断态电压临界上升率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage | 器件在断态下电压临界上升率的参数，按字母分级（A-H）。 |
| 通态电压临界上升率 Critical Rate of Rise of On-State Voltage | 器件在通态下电压临界上升率的参数，按字母分级（A-H）。 |
| 电路换向关断时间 Circuit Commutated Turn-Off Time | 器件在电路换向过程中关断所需的时间，按字母分级（A-H）。 |
| 换向电压临界上升率 Critical Rate of Rise of Commutation Voltage | 器件在换向过程中电压临界上升率的参数，按字母分级（A-E）。 |
| 反向恢复时间 Reverse Recovery Time | 器件从导通状态切换到阻断状态时，反向电流恢复到规定值所需的时间，按字母分级（A-F）。 |
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| 测试美利体育官网首页网址 符合 JB/T 4219-1986 型号命名方法 | 用于电力半导体器件性能测试的专用美利体育官网首页网址。 |