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本标准规定了使用高能量分辨能力的半导体γ射线能谱仪分析低比活度γ放射性核素的固态、液态或可以转化为这两种物态的均匀样品的常规方法。 本标准适用于分析活度大于谱仪的探测限LD〔附录A(补充件)〕,并且各核素的Y特征谱线能够分辨开的样品。因此,一般对样品只作诸如烘干、粉碎、搅匀等简单的物理处理,而不作化学分离。当必须对样品作化...
| 术语 | |
|---|---|
| 核素总探测效率 | total detection efficiency for nuclide |
| 核素全吸收峰探测效率 | total absorption detection efficiency for nuclide |
| γ射线总探测效率 | total detection efficiency for gamma-ray |
| γ射线全吸收峰探测效率 | total absorption detection efficiency for gamma-ray |
| 本底 | background |
| 半导体γ射线探测器 高纯锗(HPGe)或锂漂移锗[Ge(Li)] | 高能量分辨率的γ射线探测器 |
| 多道脉冲幅度分析器 不少于4096道 | 用于分析脉冲幅度的多道分析器 |
| 屏蔽室 至少10 cm厚铅当量 | 用于屏蔽外部辐射的金属屏蔽室 |
| 高压电源 3000-5000 V | 探测器工作所需的高压电源 |
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