美利体育登录入口官网:VDE 0126-18-100 E*DIN EN 50513:2008-05
太阳能晶片 - 数据表和产品信息
Solar wafers – Data sheet and product information for crystalline silicon wafers for solar cell manufacturing
- 标准号
- VDE 0126-18-100 E*DIN EN 50513:2008-05
- 发布
- 2008年
- 国际标准分类(ICS)
- 27.160 太阳能工程
- 总页数
- 72页
- 发布单位
- 德国电气，电子和信息技术协会
- 引用标准
- EN ISO/IEC 17025
- 本体
- 晶体 硅片
- 适用范围
- 本文件描述了晶体硅（Si）太阳能电池用硅片的 datasheet 规格和产品信息。它提供了必要的信息，以实现硅片到硅太阳能电池的最优加工。其中，datasheet 是指包含所有关键参数的硅太阳能电池用硅片的技术描述。产品信息包括包装、标识、储存以及对产品和工艺重大变更的通报义务。这些信息是硅片加工成太阳能电池所必需的。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 晶体 ingot | 结晶过程后最大的连续硅单元 |
| 柱/块 brick, column, block | 块加工后的硅半成品，具有后续硅片的底面 |
| 硅片 wafer | 硅加工的最终产品，是太阳能电池制造的输入产品 |
| 批次大小 batch size | 硅片的最小数量单位，确保可追溯性 |
| 厚度变化 thickness variation (Total Thickness Variation, TTV) | 5 个测量点之间厚度测量值的最大差异 |
| 腐蚀坑密度 Etch Pit Density (EPD) | 每单位面积的腐蚀坑数量 |
| 厚度 thickness | 硅片前表面和后表面之间随位置变化的距离，其中实际表面是根据 DIN 4760 测量的表面 |
| 平均厚度 average thickness dm | 根据图 1 中测量点 1 至 5 的 5 个测量值的平均值 |
| 中心厚度 centre thickness | 根据图 1 中测量点 5 的硅片中心的厚度 |
| 波浪度 waviness | 一种主要在表面上周期性出现的形状偏差，波长大于 3 mm。局部最大振幅在 10 cm 的测量路径上确定。 |
| 翘曲 warping | 当硅片放置在平坦表面上时，硅片最高点与表面之间的距离减去硅片厚度 |
| 沟槽型锯痕 groove type saw marks | 硅片表面的局部凹陷，深度通过定义扫描区域或扫描窗口内的垂直距离确定 |
| 台阶型锯痕 step type saw marks | 硅片表面高度的永久性变化，高度通过定义扫描区域或扫描窗口内的垂直距离确定 |
| 腐蚀速率 corrosion rate, rE | 在湿法腐蚀过程中从硅片表面去除的硅材料量 [nm/min] |
| 腐蚀时间 corrosion time, tR | 硅片暴露于腐蚀溶液中的时间 [min] |
| 间隙氧 interstitial oxygen (Oi) | 嵌入硅晶格中的氧，氧原子位于间隙位置 |
| 替位碳 substitutional carbon (Cs) | 嵌入硅晶格中的碳，碳原子位于硅原子位置 |
美利体育登录入口官网: VDE 0126-18-100 E*DIN EN 50513:2008-05 中提到的仪器美利体育官网首页网址
| 测厚仪 接触式（精度≤1 ?m）或非接触式（光学/电学/气动） | 用于测量晶体硅硅片的厚度，接触式需符合 DIN 879-1，非接触式传感器测量区域直径约 10 mm |
| 傅里叶变换红外光谱仪 (FTIR) 用于测量碳和氧含量 | 通过红外吸收法测定硅中替位碳和间隙氧的含量 |
| 准稳态光电导测试仪 (QSSPC) 配备闪光灯或 LED 阵列 | 用于测量硅片中的载流子寿命 |
| 四探针电阻率测试仪 符合 DIN 50431 | 用于测量多晶和单晶半导体硅片的电阻 |
| 微波光电导衰减测试仪 (?-PCD) 激光波长 904±50 nm | 用于测量硅片中的载流子寿命 |
| 涡流电阻率测试仪 符合 ASTM F 673 | 用于测量多晶和单晶半导体硅片的电阻 |
| 精密天平 精度±1 mg | 用于通过称重法确定硅片厚度 |
| 表面轮廓仪 分辨率横向≥10 ?m，纵向≥1 ?m | 用于测量硅片表面的沟槽和台阶深度 |