光致发光是材料吸收光子后产生电子激发，进而发射光子的现象。该现象基于捕获电荷载流子形式储存的辐射能量，通过光学激发释放可测量发光信号。它可用于识别和评估晶体缺陷，通过美利体育登录入口官网波长大于650nm的发射，是分析半导体杂质浓度的关键方法。
| 标准号 & 类别 | 标准名称 | 发布 |
|---|---|---|
| BS IEC 63068-3:2020 试验标准 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷无损识别标准光致发光缺陷测试方法 Semiconductor devices. Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Test method for defects using photoluminescence
碳化硅 |
2020-07-31 英国标准学会 |
| BS IEC 63068-4:2022 规范 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别标准 使用光学检查和……相结合的方法识别和评估缺陷的程序 Semiconductor devices. Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and…
|
2022-09-30 英国标准学会 |
| CAN/ULC-S590:2019 规范 |
STANDARD FOR DESIGN, INSTALLATION, INSPECTION, TESTING AND MAINTENANCE OF SAFETY WAY GUIDANCE SYSTEM
疏散路线 |
2019 加拿大保险商实验室 |
| CIE 182-2007 指南标准 |
CALIBRATION METHODS AND PHOTOLUMINESCENT STANDARDS FOR TOTAL RADIANCE FACTOR MEASUREMENTS
荧光 |
2007-01-01 国际照明委员会 |
| DIN EN 13751:2009 试验 |
食品.用光致发光法美利体育登录入口官网辐照后的食品.德文版本EN 13751-2009 Foodstuffs - Detection of irradiated food using photostimulated luminescence; German version EN 13751:2009
筛查 |
2009-11 德国标准化学会 |
| DIN EN 4731:2018 规范标准 |
航空航天系列 与光致发光标记系统一起使用的 LED 灯具的光谱质量 Aerospace series - Spectral quality of LED luminaires used with photoluminescent marking systems; German and English version EN 4731:2018
LED灯具 光谱辐照度 |
2018-07-01 德国标准化学会 |
| DIN EN 4731:2018-07 试验 |
航空航天系列-与光致发光标记系统一起使用的LED灯具的光谱质量 Aerospace series - Spectral quality of LED luminaires used with photoluminescent marking systems; German and English version EN 4731:2018
LED灯具 |
2018-07 德国标准化学会 |
| IEC 63068-3:2020 试验方法 |
半导体器件.功率器件用碳化硅同质外延片中缺陷的无损识别标准.第3部分:用光致发光法美利体育登录入口官网缺陷的试验方法 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
碳化硅 |
2020-07-13 国际电工委员会 |
| IEC 63068-4:2022 |
半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损识别标准 第4部分：使用梳子识别和评估缺陷的程序 Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a comb
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2022-07-27 国际电工委员会 |
| IEC TS 62565-4-1:2019 规范 |
Nanomanufacturing – Key control characteristics – Part 4-1: Luminescent nanomaterials – Blank detail specification
|
2019-11-28 国际电工委员会 |
| SA TS 5367-2021 规范 |
Photoluminescent exit signage — Hybrid photoluminescent signage — Product specification, installation and operation
|
2021-10-22 澳大利亚标准协会 |
| SJ/T 11492-2015 试验 |
Test methods for measurement of composition of gallium arsenide phosphide wafers by photoluminescence
|
2015-04-30 行业标准-电子 |
| SJ/T 11494-2015 试验 |
Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
硅单晶 |
2015-04-30 行业标准-电子 |
| SJ/T 11629-2016 试验 |
Online photoluminescence analysis method of silicon wafers and cells for solar cells
硅片 |
2016-04-05 行业标准-电子 |
| T/CAQI 75-2019 试验标准 |
Photoluminescence Spectroscopy for Identification of Jewelry and Jade
光谱仪 珠宝玉石 |
2019-07-03 中国团体标准 |
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