本文件规定了利用热释光剂量计(TLD)测定材料在电离辐射照射下吸收剂量的程序。该实践主要关注电子器件的抗辐射性能测试,适用于能量范围为12 MeV至60 MeV的伽马射线、X射线及电子束照射下的材料吸收剂量测量。
本文件涵盖的吸收剂量范围约为10^-2 Gy至10^4 Gy(1 rad至10^6 rad),吸收剂量率范围约为10^-2 Gy/s至10^10 Gy/s(1 rad/s至10^12 rad/s)。本文件不适用于中子辐照下的吸收剂量及剂量率测量。此外,涉及电子辐照的程序部分主要用于零部件测试,针对电路板或机箱等更大组件的器件测试可能超出本文件范围。
本文件未涵盖所有与使用相关的安全问题。用户有责任建立适当的安全与健康实践,并确定其适用性。
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