本文件规定了用于电子半导体器件辐射硬度测试中中子能谱调整技术的中子活化探测器材料的选择与使用准则。内容涵盖适用于多种辐射硬度测试设施传感器的描述,并基于反应截面精度、使用便捷性及既往应用经验,对各反应的适用性提供评述。
本文件还讨论了在传感器厚度、屏蔽层及位置选择中需考虑的注量均匀性、中子自屏蔽及注量凹陷修正。这些修正适用于TRIGA型、Godiva型反应堆及锎源等装置的能谱测定,亦可适用于能量分布较宽、最高达20 MeV的其他中子源。
此外,本文件涵盖了活化箔及其他传感器伽马射线或贝塔射线发射率的测量,以及绝对比活度的计算。主要测量技术为高分辨率伽马射线能谱法,所得活度数据用于确定中子源的能注量谱。测量与分析细节包括:针对伽马射线探测器校准的有限尺寸与厚度修正、脉冲高度分析器的死时间及脉冲堆积损失修正,以及本底放射性修正。
| 高分辨率伽马射线光谱仪 | 用于测量活化箔的伽马射线或β射线发射率。 |
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