本文件规定了半导体器件在电离辐射照射下稳态初级光电流(Ipp)的测量方法。该程序适用于测量光电流大于10?? A·s/Gy(Si或Ge)的器件,且被测器件的弛豫时间小于电离源脉冲宽度的25%的情况。已验证这些程序在剂量率高达10? Gy(Si或Ge)/s时的有效性;在高达10?? Gy(Si或Ge)/s的剂量率下也可使用,但需格外小心。超过10? Gy/s时,封装响应可能主导器件响应。
本文件还包含了测试装置的设置、校准及测试电路评估程序。由于器件类型多样及应用需求各异,具体测试的剂量率范围未在本文件中规定,须另行指定。文件中采用的数值单位为国际单位制(SI),其他单位制未包含在内。本文件未涵盖所有与使用相关的安全问题,用户需自行建立适当的安全措施。
| 示波器 双光束或两个单光束 | 具有足够带宽能力以准确显示辐射响应和峰值稳态值的测量美利体育官网首页网址 |
| 数字化仪 | 具有足够带宽、采样间隔和时基能力以处理瞬态信号的美利体育官网首页网址 |
| 稳压直流电源 | 产生偏置结所需电压的浮动输出电源 |
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