本文件规定了用于揭示硅片结构缺陷的化学溶液的选择、配制及使用方法。通过特定的腐蚀液,可识别影响硅器件电路性能与产率的晶体缺陷。成功实施腐蚀工艺的关键因素包括样品制备、温度控制、腐蚀技术及腐蚀剂的选择。本文件提供了多种腐蚀溶液的信息,供用户根据实际需求进行选择。
本文件未涵盖所有与使用相关的安全问题。用户有责任在使用前建立适当的安全与健康实践,并确定相关法规限制的适用性。关于硅片上优先腐蚀或装饰表面缺陷的计数测试方法,可参见相关测试标准。
| 术语 | 描述 |
|---|---|
| 腐蚀液 Etching Solution | 一种化学溶液,用于通过化学反应暴露硅片中的结构缺陷。 |
| 氧化 stacking faults Oxidation Stacking Faults | 由于氧化诱导形成的晶体缺陷,通常在腐蚀过程中被揭示。 |
| 氮气 bubbler 与腐蚀槽连接 | 用于在腐蚀过程中提供氮气 agitation,防止溶液中产生气泡,影响腐蚀效果。 |
| 腐蚀槽 多种,包括简单烧杯和大型蚀刻 tank | 用于容纳腐蚀液并提供必要的环境条件,如温度控制和气体搅拌。 |
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