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在半导体试剂分析和金属基材料表征领域，控制痕量金属污染物十分关键。高纯化学品，例如硝酸 (HNO3) 和硫酸 (H2SO4)，以及高纯金属，其检测分析流程需要达到亚 ppt 级检出限 (DLs)，同时具备出色的稳健性与重现性。为了满足这些需求，配备双池耦合碰撞反应系统 (DCS)[1] 以及搭配了 m 透镜的 Agilent 9500 串联四极杆 ICPMS(ICP-MS/MS) 提供了一个高度稳定的分析平台，能够在热等离子体条件下取得低背景值以及可靠的性能。

在本研究中，我们采用专门为低基质、高纯试剂设计的方法，评估了 9500 ICP-MS/MS 的性能。使用仪器软件中分别适用于超纯水（UPW）和 H2SO4 的预置方法 ― UPW 方法同样适用于 HNO3 和 H2O2 ― 我们分别对 1% HNO3 以及高纯 H2SO4 进行了分析。两种基质中的目标分析元素均实现了亚 ppt 级检出限和低背景。这些结果表明，配备 m 透镜的 9500 ICP-MS/MS 可用于半导体级试剂的超痕量杂质分析，以及高要求的金属基样品的应用需求。